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MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极。 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负值,开启电压VT也必须是负值,实...

MOSFET 全称是“金属氧化物半导体场效应管”(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗,在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点,在 M...

对于MOSFET型场效应管来说,他有三个电极,即栅极G(控制)、漏极D和源极S(被控制),对于N沟道的(就是箭头指向栅极的内个)D、G接高电平(+),S接低电平(-),D、S导通(VGS要大于夹断电压,约为1V左右,根据管子不同夹断电压也不同),电...

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结,即NPNP结构,在原理上是MOS推动的P型BJT; 多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(目前最大6500V),但由于载流子存在,IGB...

MOSFET多为功率场效应管。是晶体管的一种。能以极低的(几乎为零)的电能控制大功率负荷的通断,接合光电耦合器和适当的MOSFET组合可达到隔离、双向导通的控制效果,等效于继电器,在开关速度以及耐压、抗震方面高于电磁继电器指标。同等负载功...

mesfet是由PN结场效应管改进得到的,原理基本相同,PN结场效应管是利用两边为P型高掺杂半导体、中间为N型掺杂半导体作为导电沟道得到的,当所加栅源电压不同时,两个相对的PN结的空间电荷区宽度不一样,所以以此控制中间的导电沟道区宽度,导电...

可以,只是在正常的驱动电路上把D和S交换位置即可,是MOSFET导通,不通过体二极管,同步整流的MOSFET都是这么接的。就像下面这个简图。

亲!单片机驱动mosfet一般都需要隔离的,因为工作电压差别比较大,而且单片机一般是5V以下,很多mosfet的驱动电压要求10V以上才能完全导通 简单一点的你可以用个光耦做隔离,单片机PWM连接光耦的输入(要加限流电阻),光耦输出通过一个电阻连接...

其中的三个脚g,d,s就对应实物的栅极,漏极和源极。m脚表示测量,输出mosfet两端电压和流过它的电流,接个scope可观察电压电流变化情况。 其中栅极只要加上正电压就能使mosfet导通,不需要在5-15V之内

从结构来说,以N型沟道为例,IGBT与MOSFET(VDMOS)的差别在于MOSFET的衬底为N型,IGBT的衬底为P型;从原理上说IGBT相当与一个mosfet和一个BIpolar的组合,通过背面P型层的空穴注入降低器件的导通电阻,但同时也会引入一些拖尾电流等问题;从产...

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