nynw.net
当前位置:首页 >> mosFEt >>

mosFEt

MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极。 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负值,开启电压VT也必须是负值,实...

MOSFET是指金属氧化物场效应管,具体的可分为P沟道和N沟道,一般用得多的是N沟道的。 MOS管是电压控制型的元件,可以用一个驱动电压来控制其漏极和源极的通断从而实现开关功能。不过使用时应注意其引脚的连接,因为不是普通意义上的开关。另外按...

MOSFET多为功率场效应管。是晶体管的一种。能以极低的(几乎为零)的电能控制大功率负荷的通断,接合光电耦合器和适当的MOSFET组合可达到隔离、双向导通的控制效果,等效于继电器,在开关速度以及耐压、抗震方面高于电磁继电器指标。同等负载功...

对于MOSFET型场效应管来说,他有三个电极,即栅极G(控制)、漏极D和源极S(被控制),对于N沟道的(就是箭头指向栅极的内个)D、G接高电平(+),S接低电平(-),D、S导通(VGS要大于夹断电压,约为1V左右,根据管子不同夹断电压也不同),电...

IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结,即NPNP结构,在原理上是MOS推动的P型BJT; 多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压和电流下,有很低的压降,因此IGBT可以做到很高电压(目前最大6500V),但由于载流子存在,IGB...

G:gate 栅极S:source 源极D:drain 漏极 MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。

要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流,并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10~15V),如果用普通控制芯片或单片机直接驱动,输出电流不够,输出电压也没有这么高,所以需要驱动器。有些控制芯片如UCC28C43自身集成了驱动器,可以直接驱动小...

1、阻抗不同,为了实施开关动作,其耗电量不同。 (1)MOSFET为电压控制的(voltage-controlled)组件,也就是为了能在漏极端有电流产生,必须在闸极与源极之间,提供额定的电压值,由于MOSFET的闸极端与源极端之间会被氧化硅层(silicon oxide lay...

MOSFET 有2种类型,N型与P型。 MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSF...

MOS管的驱动电压一般较低,我了解的大多数在10VDC以下吧,当然和你的型号有关,你可以下载其规格书看看。低压MOS一般2.5Vdc导通的。

网站首页 | 网站地图
All rights reserved Powered by www.nynw.net
copyright ©right 2010-2021。
内容来自网络,如有侵犯请联系客服。zhit325@qq.com