nynw.net
当前位置:首页 >> mosFEt >>

mosFEt

MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极。 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负值,开启电压VT也必须是负值,实...

MOSFET 全称是“金属氧化物半导体场效应管”(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗,在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点,在 M...

互补式金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)是一种集成电路制程,可在硅晶圆上制作出PMOS(p-type MOSFET)和NMOS(n-type MOSFET)元件,由于PMOS与NMOS在特性上为互补性,因此称为CMOS。 金属氧化物半导体场效...

MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的...

mesfet是由PN结场效应管改进得到的,原理基本相同,PN结场效应管是利用两边为P型高掺杂半导体、中间为N型掺杂半导体作为导电沟道得到的,当所加栅源电压不同时,两个相对的PN结的空间电荷区宽度不一样,所以以此控制中间的导电沟道区宽度,导电...

MOS管不仅可以做开关电路,也可以做模拟放大,因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。 二者的主要区别就是:双极型管是电流控制器件(通过基极较小的电流控制较大的集电极电流),MOS管是电压控制器件(通过栅极电压控制源...

MOSFET多为功率场效应管。是晶体管的一种。能以极低的(几乎为零)的电能控制大功率负荷的通断,接合光电耦合器和适当的MOSFET组合可达到隔离、双向导通的控制效果,等效于继电器,在开关速度以及耐压、抗震方面高于电磁继电器指标。同等负载功...

说明书用来说明各种产品的性能。这对于在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些情况下,不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有微妙的区别,尤其在一些非重要参数例如切换时间。另外,数据说明书所包含的信息不一定和应用相关联。因此...

MOSFET上的;二是你的MOSFET是N还是P型的,这对判断关断还是导通有很大的影响。 N型MOS一般都是用S对地,G接电压控制,接地时截止,接高于地的电压开始导通,D输出,负载是从正电源到D之间连接,也就是说管子的D到S导通,让负载的负极接到地,关...

TRENCH工艺主要用于低压MOSFET,为了降低导通内阻,把栅极结构做成了类似U型槽 PLANAR工艺是普通工艺,也是最常见的VDMOS结构。

网站首页 | 网站地图
All rights reserved Powered by www.nynw.net
copyright ©right 2010-2021。
内容来自网络,如有侵犯请联系客服。zhit325@qq.com