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mos晶体管的工作原理

MOS场效应管,即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。它...

MOS晶体管,也就是绝缘栅场效应晶体管,又叫金属-氧化物-半导体场效应晶体管,利用半导体的场效应,进行信号放大。就是利用栅极控制电压形成的电场,来控制沟道里感应电荷的多少,进而改变导电沟道的状态,达到控制漏极电流的效果。根据制作方法...

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。 三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流...

MOS管不仅可以做开关电路,也可以做模拟放大,因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。 二者的主要区别就是:双极型管是电流控制器件(通过基极较小的电流控制较大的集电极电流),MOS管是电压控制器件(通过栅极电压控制源...

三极管工作时,有两种载流子流过PN结,所以它是有两种载流子参与导电的器件。 mos管工作时,源漏极之间只有一种载流子参与导电,栅源极、栅漏极之间没有载流子流过,所以它是只有一种载流子参与导电的器件。 所以,mos管不是三极管。

有一定的相似性,但不一样。 简单的说: MOS管是电压控制器件,三极管是电流控制器件。 复杂的说: 两者都有点类似受控电流源,MOS管是栅源电压控制的电流源,三极管是基极电流控制的电流源。 二楼的说法不正确,能看懂会用三极管,只是因为三极...

三极管和MOS管的区分方法如下: 用万用表的二极管档(或1k~10k电阻档)测量,三极管的发射极和集电极都对基极单向导通,而发设计和集电极之间互不导通;利用这一点可以确定是否三极管以及类型(PNP管或NPN管);场效应管则比较复杂,增强型和耗...

1. MOS管工作原理--MOS管简介 MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成...

PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 别名 : positive MOS 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+...

MOSFET 的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor 场效应晶体管), 即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝...

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